Quantum well lasers with InAs monolayers in the active region grown at low temperature by atomic layer molecular beam epitaxy

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Revista:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Año de publicación: 1993

Volumen: 127

Número: 1-4

Páginas: 46-49

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/0022-0248(93)90574-G GOOGLE SCHOLAR
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