Membranas metálicas suspendidas para el desarrollo de microsistemas electromecánicos para radiofrecuencia (rfmems)

  1. ETXEBERRIA INTXAUSTI, JON ANDER
Dirixida por:
  1. Javier Gracía Gaudó Director

Universidade de defensa: Universidad de Navarra

Fecha de defensa: 03 de xullo de 2007

Tribunal:
  1. Javier Gil Sevillano Presidente/a
  2. Enrique Castaño Carmona Secretario
  3. Ángel Rodríguez Martinez Vogal
  4. Xavier Correig Blanchar Vogal
  5. José Millán Gómez Vogal

Tipo: Tese

Teseo: 299568 DIALNET

Resumo

Membranas metálicas suspendidas para el desarrollo de microsistemas electromecánicos para radiofrecuencia (RFMEMS) El mundo tecnológico e industrial actual solicita productos con un gran valor añadido en prestaciones y fiabilidad. La continua mejora de estas prestaciones obliga a introducir nuevos diseños y materiales en la fabricación de estos dispositivos. Dentro de este nuevo escenario, el trabajo que ahora se presenta pretende definir un proceso tecnológico para el desarrollo de membranas metálicas suspendidas para su empleo en estructuras capacitivas. Estas estructuras capacitivas han permitido desarrollar microcondensadores variables de membrana de silicio y de membrana de aluminio. Los dispositivos desarrollados presentan buenas cualidades funcionales, tales como un elevado factor de calidad Q, amplio rango frecuencial, posibilidad de operación con grandes niveles de tensión DC y señales RF, y desacoplo entre la tensión DC y la seña RF. At present, technological and industrial world demand new products with improved performances. The continuous improvements of these features need new materials and designs for the development of the devices. This wok defines a technological fabrication process to develop suspended metallic membranes for its use in capacitive structures. These capacitive structures have let us to fabricate silicon and aluminium membrane based variable capacitors. Developed devices present very interesting performances, as for instance, high quality factor and wide frequency range.