Influence of GaN barrier growth temperature on the photoluminescence of InGaN/GaN heterostructures

  1. Olaizola, S.M.
  2. Pendlebury, S.T.
  3. O'Neill, J.P.
  4. Mowbray, D.J.
  5. Cullis, A.G.
  6. Skolnick, M.S.
  7. Parbrook, P.J.
  8. Fox, A.M.
Revista:
Journal of Physics D: Applied Physics

ISSN: 0022-3727

Año de publicación: 2002

Volumen: 35

Número: 7

Páginas: 599-603

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0022-3727/35/7/305 GOOGLE SCHOLAR