Inductores integrados de alto factor de calidad en una tecnología estándar 0,8 microm sige

Abstract

El crecimiento que ha experimentado el uso de sistemas móviles de comunicación durante los últimos años ha propiciado, impulsado desde las empresas del sector, un gran esfuerzo investigador para encontrar nuevas soluciones que permitan una mayor integrabilidad y un menor coste de dichos equipos. Para conseguir estos objetivos se están realizando avances en el diseño de nuevas arquitecturas para transmisores/receptores, en la reducción del consumo de los distintos circuitos en la parte analógica de radiofrecuencia (RF), en la correcta caracterización del empaquetado y en la reducción de las conexiones externas en el chip. Merece la pena destacar que parte de estos problemas están relacionados con la baja calidad de los elementos pasivos integrados existentes en el mercado. En el presente trabajo de investigación se muestra la viabilidad del diseño de inductores integrados de alta calidad en la tecnología 0.8 microm Silicio-Germanio de Austriam Mikro Systeme AQ (AMS). El proceso seguido para realizar el estudio parte del análisis de los efectos físicos que aparecen en un inductor integrado en una tecnología basada en un sustrato poco resistivo. En segundo lugar se estudia analíticamente y mediante simuladores la influencia de la geometría que define un inductor en su funcionamiento. Para completar este estudio, y con el objetivo de implementar una biblioteca de inductores de alta calidad en la tecnología 0.8 microm SiGe de AMS para dicha fundidora, se ha fabricado y caracterizado entorno a unos 150 inductores. De esta forma se ha podido sistematizar el diseño de inductores de alta calidad en la tecnología 0.8 microm SiGe y se ha implementado una bibliotecta de inductores en el rango de frecuencias de 0.86 a 5.6 GHz en dicha tecnología para AMS. Los resultados son trasladables a otras tecnologías de bajo precio (BiCMOS, CMOS, SiGe, etc). Posteriormente se ha realizado un estudio de otros elementos pasivos como