Influencia de la microestructura y geometria de la linea en la electromigracion bajo corrientes bidireccionales (bc) y pulsadas (pdc)

Abstract

Uno de los principales problemas de fiabilidad que presentan las interconexiones de circuitos integrados vlsi es la electromigracion. En la presente tesis se ha desarrollado un modelo fisico de la electromigracion que ha permitido justificar teoricamente numerosos resultados experimentales. Asi mismo, y junto al analisis microscopico de interconexiones ensayadas electricamente, ha posibilitado la deteccion de las configuraciones geometrico-microestructurales mas peligrosas desde el punto de vista de generacion de daño por electromigracion. La realizacion de experimentos "in situ", ensayo electrico bajo observacion microscopica directa, ha demostrado el papel que juega en el fallo de la interconexion el comportamiento dinamico de las grietas de electromigracion. Hasta ahora habia sido costumbre el asumir un crecimiento estatico de la grieta hasta el fallo del dispositivo.