Evaluation of Operating Margin and Switching Probability of Voltage-Controlled Magnetic Anisotropy Magnetic Tunnel Junctions

  1. Song, J.
  2. Ahmed, I.
  3. Zhao, Z.
  4. Zhang, D.
  5. Sapatnekar, S.S.
  6. Wang, J.-P.
  7. Kim, C.H.
Revista:
IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits

ISSN: 2329-9231

Any de publicació: 2018

Volum: 4

Número: 2

Pàgines: 76-84

Tipus: Article

DOI: 10.1109/JXCDC.2018.2880205 GOOGLE SCHOLAR lock_openAccés obert editor

Objectius de Desenvolupament Sostenible

Font de les dades: Scopus