Dislocation sources and slip band nucleation from indents on silicon wafers

  1. Wittge, J.
  2. Danilewsky, A.N.
  3. Allen, D.
  4. McNally, P.
  5. Li, Z.
  6. Baumbach, T.
  7. Gorostegui-Colinas, E.
  8. Garagorri, J.
  9. Elizalde, M.R.
  10. Jacques, D.
  11. Fossati, M.C.
  12. Bowen, D.K.
  13. Tanner, B.K.
Revista:
Journal of Applied Crystallography

ISSN: 0021-8898 1600-5767

Any de publicació: 2010

Volum: 43

Número: 5 PART 1

Pàgines: 1036-1039

Tipus: Article

DOI: 10.1107/S0021889810029894 GOOGLE SCHOLAR