Observation of nano-indent induced strain fields and dislocation generation in silicon wafers using micro-Raman spectroscopy and white beam X-ray topography
- Allen, D.
- Wittge, J.
- Zlotos, A.
- Gorostegui-Colinas, E.
- Garagorri, J.
- McNally, P.J.
- Danilewsky, A.N.
- Elizalde, M.R.
ISSN: 0168-583X
Any de publicació: 2010
Volum: 268
Número: 3-4
Pàgines: 383-387
Tipus: Article