Observation of nano-indent induced strain fields and dislocation generation in silicon wafers using micro-Raman spectroscopy and white beam X-ray topography
- Allen, D.
- Wittge, J.
- Zlotos, A.
- Gorostegui-Colinas, E.
- Garagorri, J.
- McNally, P.J.
- Danilewsky, A.N.
- Elizalde, M.R.
ISSN: 0168-583X
Ano de publicación: 2010
Volume: 268
Número: 3-4
Páxinas: 383-387
Tipo: Artigo