Observation of nano-indent induced strain fields and dislocation generation in silicon wafers using micro-Raman spectroscopy and white beam X-ray topography

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Zeitschrift:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

ISSN: 0168-583X

Datum der Publikation: 2010

Ausgabe: 268

Nummer: 3-4

Seiten: 383-387

Art: Artikel

DOI: 10.1016/J.NIMB.2009.10.174 GOOGLE SCHOLAR

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