Ru and RuO2 gate electrodes for advanced CMOS technology

  1. Fröhlich, K.
  2. Husekova, K.
  3. Machajdik, D.
  4. Hooker, J.C.
  5. Perez, N.
  6. Fanciulli, M.
  7. Ferrari, S.
  8. Wiemer, C.
  9. Dimoulas, A.
  10. Vellianitis, G.
  11. Roozeboom, F.
Revista:
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology

ISSN: 0921-5107

Any de publicació: 2004

Volum: 109

Número: 1-3

Pàgines: 117-121

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1016/J.MSEB.2003.10.061 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus