Physical analysis of electromigration damage under non-d.c. conditions

  1. Castaño, E.
  2. Maiz, J.
Revista:
Microelectronics Reliability

ISSN: 0026-2714

Ano de publicación: 1993

Volume: 33

Número: 8

Páxinas: 1189-1198

Tipo: Artigo

DOI: 10.1016/0026-2714(93)90348-3 GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus