Dislocation sources and slip band nucleation from indents on silicon wafers

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Revista:
Journal of Applied Crystallography

ISSN: 0021-8898 1600-5767

Año de publicación: 2010

Volumen: 43

Número: 5 PART 1

Páginas: 1036-1039

Tipo: Artículo

DOI: 10.1107/S0021889810029894 GOOGLE SCHOLAR