Ru and RuO2 gate electrodes for advanced CMOS technology

  1. Fröhlich, K.
  2. Husekova, K.
  3. Machajdik, D.
  4. Hooker, J.C.
  5. Perez, N.
  6. Fanciulli, M.
  7. Ferrari, S.
  8. Wiemer, C.
  9. Dimoulas, A.
  10. Vellianitis, G.
  11. Roozeboom, F.
Revista:
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology

ISSN: 0921-5107

Año de publicación: 2004

Volumen: 109

Número: 1-3

Páginas: 117-121

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1016/J.MSEB.2003.10.061 GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: Scopus