Analysis of the Results of Accelerated Aging Tests in Insulated Gate Bipolar Transistors

  1. Astigarraga, D.
  2. Ibanez, F.M.
  3. Galarza, A.
  4. Echeverria, J.M.
  5. Unanue, I.
  6. Baraldi, P.
  7. Zio, E.
Revista:
IEEE Transactions on Power Electronics

ISSN: 0885-8993

Any de publicació: 2016

Volum: 31

Número: 11

Pàgines: 7953-7962

Tipus: Article

DOI: 10.1109/TPEL.2015.2512923 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus