A G-Band SiGe BiCMOS LNA With an Area Efficient Built-In Temperature Compensation Circuit and Robust to TID Radiation

  1. Urain, A.
  2. Rio, D.D.
  3. Ujan-Martinez, C.I.
  4. Kantanen, M.
  5. Berenguer, R.
Revista:
IEEE Access

ISSN: 2169-3536

Any de publicació: 2024

Volum: 12

Pàgines: 138180-138191

Tipus: Article

DOI: 10.1109/ACCESS.2024.3465850 GOOGLE SCHOLAR lock_openAccés obert editor
Font de les dades: Scopus