A G-Band SiGe BiCMOS LNA With an Area Efficient Built-In Temperature Compensation Circuit and Robust to TID Radiation

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Revista:
IEEE Access

ISSN: 2169-3536

Año de publicación: 2024

Volumen: 12

Páginas: 138180-138191

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/ACCESS.2024.3465850 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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