A G-Band SiGe BiCMOS LNA With an Area Efficient Built-In Temperature Compensation Circuit and Robust to TID Radiation

  1. Urain, A.
  2. Rio, D.D.
  3. Ujan-Martinez, C.I.
  4. Kantanen, M.
  5. Berenguer, R.
Revista:
IEEE Access

ISSN: 2169-3536

Ano de publicación: 2024

Volume: 12

Páxinas: 138180-138191

Tipo: Artigo

DOI: 10.1109/ACCESS.2024.3465850 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso aberto editor
Fonte de datos: Scopus